โรงงาน SiC แห่งใหม่ของ Mitsubishi Electric ในจังหวัดคุมาโมโตะ คาดว่าจะเริ่มการผลิตในปี 2026

Mitsubishi Electric วางแผนที่จะสร้างโรงงานเซมิคอนดักเตอร์กำลังซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แห่งใหม่ในเมืองคิคุจิ จังหวัดคุมาโมโตะ ด้วยการลงทุนประมาณประมาณ 100 พันล้านเยน (ประมาณ 4.856 พันล้านหยวน) โรงงานแห่งใหม่มีกำหนดจะเริ่มดำเนินการในเดือนเมษายน พ.ศ. 2569 ซึ่งเมื่อถึงเวลานั้น กำลังการผลิตแผ่นเวเฟอร์ของบริษัทจะเพิ่มขึ้นประมาณห้าเท่าเมื่อเทียบกับปี พ.ศ. 2565 อาคารใหม่มี 6 ชั้น มีพื้นที่รวมประมาณ 42,000 ตารางเมตร และจะใช้ในการผลิตเวเฟอร์ SiC ที่มีเส้นผ่านศูนย์กลาง 200 มม. (8 นิ้ว) กระบวนการทั้งหมดจะเชื่อมต่อกันผ่านระบบลำเลียงอัตโนมัติเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิต