Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. 10 میلیارد یوان برای ساخت پروژه زیرلایه کاربید سیلیکون سرمایه گذاری کرد.

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co.، Ltd. قصد دارد در مجموع 10 میلیارد یوان سرمایه گذاری کند تا یک پایه تحقیق و توسعه و تولید مواد زیرلایه کاربید سیلیکون بسازد. این پروژه به سه مرحله از ساخت و ساز تقسیم می شود. انتظار می رود فاز اول با سرمایه گذاری 2.1 میلیارد یوان، ظرفیت تولید سالانه 240000 ویفر سیلیکون کاربید و 50000 ویفر اپیتاکسیال را داشته باشد. علاوه بر این، این شرکت قراردادهای خرید بلندمدت با مشتریان پایین دستی امضا کرده است و انتظار می رود فروش آن در چند سال آینده به میلیاردها یوان برسد.