Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd השקיעה 10 מיליארד יואן לבניית פרויקט מצע סיליקון קרביד

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd מתכננת להשקיע סך של 10 מיליארד יואן לבניית בסיס מחקר ופיתוח ובסיס ייצור של מצע סיליקון קרביד. הפרויקט מחולק לשלושה שלבי בנייה. השלב הראשון צפוי להשקיע 2.1 מיליארד יואן לאחר השלמתו, תהיה לו כושר ייצור שנתי של 240,000 פרוסות מצע סיליקון קרביד ו-50,000 פרוסות אפיטקסיות. בנוסף, החברה חתמה על חוזי רכישה ארוכי טווח עם לקוחות במורד הזרם, ומכירותיה צפויות להגיע למיליארדי יואן בשנים הקרובות.