ドイツの科学者チームが初の全シリコン族元素電気励起連続波半導体レーザーを開発

ドイツのユーリヒ・ヘルムホルツ研究センター、シュトゥットガルト大学、ライプニッツ高性能マイクロエレクトロニクス研究所の科学者は、フランスの研究機関CEA-Letiと協力して、初の全シリコン族元素電気ポンプ連続波半導体レーザーの開発に成功した。このレーザーは、シリコン ウェーハ上に直接成長させたシリコン ゲルマニウム スズとゲルマニウム スズの極薄層の積層から構築されています。この画期的な結果は、オンチップ統合フォトニクスの新たな可能性を切り開き、Nature に掲載されました。