杭州镓仁半导体有限公司与高校合作研发6英寸氧化镓单晶衬底

杭州镓仁半导体有限公司与浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室合作，成功研发了6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶衬底。这一成果得益于杨德仁院士团队的自主研发和创新。