华为公开新型SiC晶体专利

华为技术有限公司近日公开了一项名为“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”的新专利，旨在优化碳化硅晶体技术领域的晶体质量。该专利提出了一种新的晶体生长方法，通过在晶体生长炉内设置挡板，改变气相源的运动方向，使其斜向上朝向籽晶的小面运动，从而提高晶体的生长速度和厚度，降低微管密度。此外，该专利还建议使用低密度石墨作为挡板材料，以提高晶体质量。