Micron 2026 онд өндөр хүчин чадалтай HBM4 санах ойн модулиудыг гаргахаар төлөвлөж байна

Micron 2026 онд өндөр хүчин чадалтай HBM4 санах ойн модулиудаа гаргахаар төлөвлөж байгаагаа зарлалаа. Энэхүү шинэ санах ойн модуль нь тус бүр нь 32 ГБ багтаамжтай 16 хүртэлх DRAM чипийг цуглуулж, 2048 битийн өргөн интерфэйсийг ашиглан маш сайн гүйцэтгэл, эрчим хүчний хэмнэлтийг хангах зорилготой юм. Микрон хэлэхдээ, бат бөх суурь, боловсорч гүйцсэн 1β (тав дахь үеийн 10 нм технологи) технологийн технологид үргэлжлүүлэн хөрөнгө оруулалт хийснээр HBM4 нь HBM3E-ээс 50 гаруй хувиар сайжирч, зах зээлд тэргүүлэгч байр сууриа хадгалж, эрчим хүчний хэмнэлттэй байх болно. Энэхүү шинэлэг зүйл нь автомашины электроникийн салбарын хөгжлийг дэмжиж, өгөгдөл боловсруулах өсөн нэмэгдэж буй эрэлт хэрэгцээг хангах болно гэж үзэж байна.