Micron planuje wypuścić na rynek moduły pamięci HBM4 o wysokiej wydajności w 2026 roku

Firma Micron ogłosiła plany wprowadzenia na rynek w 2026 roku swoich wysokowydajnych modułów pamięci HBM4. Ten nowy moduł pamięci pomieści do 16 układów DRAM, każdy o pojemności 32 GB, i będzie korzystał z interfejsu o szerokości 2048 bitów, zaprojektowanego w celu zapewnienia doskonałej wydajności i energooszczędności. Micron stwierdził, że dzięki solidnym fundamentom i ciągłym inwestycjom w dojrzałą technologię procesową 1β (technologia 10 nm piątej generacji), HBM4 utrzyma swoją wiodącą pozycję pod względem czasu wprowadzenia produktu na rynek i efektywności energetycznej, a wydajność poprawi się o ponad 50% w porównaniu z HBM3E. Oczekuje się, że ta innowacja będzie sprzyjać rozwojowi branży elektroniki samochodowej i sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu na przetwarzanie danych.