Micron oguereko plan omoherakuãvo módulo memoria HBM4 de alto rendimiento ary 2026-pe

Micron oikuaauka oîha plan omoherakuãvo umi módulo memoria HBM4 de alto rendimiento ary 2026-pe. Ko módulo memoria pyahu ombojoajúta 16 chip DRAM peve, peteĩteĩva oguerekóva capacidad 32GB, ha oipurúta peteĩ interfaz 2048 bits ipekue, ojejapóva omeꞌe hag̃ua rendimiento iporãitereíva ha eficiencia energética. Micron he'i orekóva fundamento sólido ha inversión continua tecnología proceso 1β (tecnología quinta generación 10nm) maduro, HBM4 omantenéta posición de liderazgo a tiempo mercado ha eficiencia energética, orekóva rendimiento oñemehora hetave 50% HBM3E rehe. Ko mba'e pyahu oñeha'ãrõ omokyre'ÿ desarrollo industria electrónica automotriz ha ombohovái demanda okakuaáva procesamiento de datos.