美光宣布新一代HBM4及HBM4E製程進展，預計2026年量產

美光公司近日对外宣布，其下一代HBM4和HBM4E工艺已取得显著进展，预计将于2026年开始量产。HBM4将堆叠多达16个DRAM芯片，每个芯片的容量为32GB，并采用2048位宽接口，相比前一代产品具有更高的性能。美光表示，凭借其在成熟的1β（第五代10nm技术）工艺技术方面的坚实基础和持续投资，HBM4将在上市时间和能效方面保持领先地位，性能比HBM3E提升50%以上。预计HBM4将于2026年大批量上市。此外，美光还透露，HBM4E将紧随其后推出，为客户提供定制逻辑基础芯片的选择，推动存储器业务的模式转变。