Flash QLC NAND zëvendëson HDD dhe TLC në proces

Aktualisht, të gjithë prodhuesit kryesorë të memories flash kanë lançuar produkte QLC NAND. Që nga viti 2018, Samsung, Micron, Toshiba, Western Digital, etj. kanë lëshuar QLC NAND me 96 shtresa. Yangtze Memory gjithashtu lançoi memorien e parë flash QLC NAND me 128 shtresa të industrisë në 2020. Në vitin 2021, kur Samsung lëshoi ​​memorie flash QLC NAND me 176 shtresa, përmirësoi shumë shpejtësinë e shkrimit, duke arritur në 320 MB/s. Kjo bën që shpejtësia e shkrimit të memories flash QLC NAND të tejkalojë në një masë të madhe atë të hard disqeve mekanike (HDD), duke siguruar një bazë për memorien flash QLC NAND për të zëvendësuar disqet e ngurtë mekanikë. Në vitin 2022, SK Hynix demonstroi memorie flash QLC NAND me 192 shtresa. Vitin e kaluar, Samsung njoftoi se po zhvillonte më shumë se 1,000 TB, ose të nivelit petabyte, SSD të disqeve QLC NAND në gjendje të ngurtë.