QLC NAND flash သည် HDD နှင့် TLC ကို အစားထိုးလုပ်ဆောင်နေသည်။

လက်ရှိတွင်၊ အဓိက flash memory ထုတ်လုပ်သူအားလုံးသည် QLC NAND ထုတ်ကုန်များကိုစတင်ထုတ်လုပ်ခဲ့သည်။ 2018 ခုနှစ်မှစ၍ Samsung၊ Micron၊ Toshiba၊ Western Digital စသည်တို့သည် 96-layer QLC NAND ကို ထုတ်ပြန်ခဲ့သည်။ Yangtze Memory သည် စက်မှုလုပ်ငန်း၏ ပထမဆုံး 128-layer QLC NAND flash memory ကို 2020 ခုနှစ်တွင် စတင်ခဲ့သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် Samsung သည် 176-layer QLC NAND flash memory ကိုထုတ်လွှတ်သောအခါတွင်၎င်းသည်စာရေးအမြန်နှုန်းကို 320MB/s အထိတိုးတက်စေသည်။ ၎င်းသည် QLC NAND flash memory ၏ အရေးအသားအမြန်နှုန်းကို စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ hard disks (HDD) ၏ ကြီးမားသောအတိုင်းအတာအထိ ကျော်လွန်စေပြီး၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဟာ့ဒ်ဒစ်များကို အစားထိုးရန်အတွက် QLC NAND flash memory အတွက် အခြေခံကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ 2022 ခုနှစ်တွင် SK Hynix သည် 192-layer QLC NAND flash memory ကို သရုပ်ပြခဲ့သည်။ ပြီးခဲ့သည့်နှစ်တွင် Samsung သည် 1,000TB သို့မဟုတ် petabyte အဆင့်၊ QLC NAND solid-state drive SSDs များထက်ပို၍ တီထွင်ထုတ်လုပ်ထားကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။