Dongfeng Semiconductor нь IGBT субстратын төслийг нэмж оруулав

4-р сарын 8-нд Гуандэ Дунфэн хагас дамжуулагч технологийн ХХК жилдээ 3 сая цахилгаан хагас дамжуулагч зэс бүрсэн керамик субстрат үйлдвэрлэх төсөлд хөрөнгө оруулалт хийхээ зарлав. Тус компани нь эрчим хүчний хагас дамжуулагчийн өндөр хүчин чадалтай керамик суурьтай зэс бүрсэн ламинатыг зохион бүтээх, судалгаа шинжилгээ хийх, үйлдвэрлэх, борлуулах чиглэлээр голчлон ажилладаг бөгөөд бүтээгдэхүүн нь IGBT цахилгаан хагас дамжуулагч модуль, 5G радио давтамжийн төхөөрөмж, цахилгаан машин болон бусад салбарт өргөн хэрэглэгддэг. . Одоогийн байдлаар Dongfeng Semiconductor-ийн жилийн үйлдвэрлэлийн хүчин чадал 1.5 сая ширхэг өндөр хүчин чадалтай керамик суурьтай зэс бүрсэн ламинатад хүрчээ.