Dongfeng Semiconductor adiciona projeto de substrato IGBT

Em 8 de abril, Guangde Dongfeng Semiconductor Technology Co., Ltd. anunciou seu investimento em um projeto de substrato cerâmico revestido de cobre semicondutor de potência com uma produção anual de 3 milhões de peças. A empresa está envolvida principalmente no design, pesquisa e desenvolvimento, produção e vendas de laminados revestidos de cobre à base de cerâmica de alto desempenho para semicondutores de potência. Seus produtos são amplamente utilizados em módulos semicondutores de potência IGBT, dispositivos de radiofrequência 5G, veículos elétricos e outros campos. . Atualmente, a capacidade de produção anual da Dongfeng Semiconductor atingiu 1,5 milhão de peças de laminados revestidos de cobre à base de cerâmica de alto desempenho.