Dongfeng Semiconductor lisää IGBT-substraattiprojektin

Huhtikuun 8. päivänä Guangde Dongfeng Semiconductor Technology Co., Ltd. ilmoitti investoinnistaan ​​tehopuolijohdekuparilla päällystettyyn keraamiseen substraattiprojektiin, jonka vuosituotanto on 3 miljoonaa kappaletta. Yhtiön toimialana on pääasiassa tehopuolijohteisiin tarkoitettujen korkean suorituskyvyn keraamipohjaisten kuparipäällysteisten laminaattien suunnittelu, tuotekehitys, tuotanto ja myynti. . Tällä hetkellä Dongfeng Semiconductorin vuotuinen tuotantokapasiteetti on saavuttanut 1,5 miljoonaa kappaletta korkean suorituskyvyn keraamipohjaisia ​​kuparipäällysteisiä laminaatteja.