Dongfeng Semiconductor voegt IGBT-substraatproject toe

Op 8 april kondigde Guangde Dongfeng Semiconductor Technology Co., Ltd. zijn investering aan in een project met een jaarlijkse productie van 3 miljoen met koper beklede keramische halfgeleidersubstraten. Het bedrijf houdt zich voornamelijk bezig met het ontwerp, de R&D, de productie en de verkoop van hoogwaardige, op keramiek gebaseerde, met koper beklede laminaten voor vermogenshalfgeleiders. De producten worden veel gebruikt in IGBT-vermogenshalfgeleidermodules, 5G-radiofrequentieapparaten, elektrische voertuigen en andere gebieden . Momenteel bedraagt ​​de jaarlijkse productiecapaciteit van Dongfeng Semiconductor 1,5 miljoen stuks hoogwaardige, op keramiek gebaseerde, met koper beklede laminaten.