Dongfeng Semiconductor tilføjer IGBT-substratprojekt

Den 8. april annoncerede Guangde Dongfeng Semiconductor Technology Co., Ltd. sin investering i et effekthalvleder kobberbeklædt keramisk substratprojekt med en årlig produktion på 3 millioner stykker. Virksomheden beskæftiger sig hovedsageligt med design, forskning og udvikling, produktion og salg af højtydende keramisk-baserede kobberbeklædte laminater til krafthalvledere. Dets produkter er meget udbredt i IGBT-energihalvledermoduler, 5G-radiofrekvensenheder, elektriske køretøjer og andre områder. . På nuværende tidspunkt har Dongfeng Semiconductors årlige produktionskapacitet nået 1,5 millioner stykker højtydende keramisk-baserede kobberbeklædte laminater.