Dongfeng Semiconductor menambahkan proyek substrat IGBT

Pada tanggal 8 April, Guangde Dongfeng Semiconductor Technology Co., Ltd. mengumumkan investasinya dalam proyek substrat keramik berlapis tembaga semikonduktor listrik dengan produksi tahunan sebesar 3 juta keping. Perusahaan ini terutama bergerak dalam desain, penelitian dan pengembangan, produksi dan penjualan laminasi berlapis tembaga berbasis keramik berkinerja tinggi untuk semikonduktor daya. Produk-produknya banyak digunakan dalam modul semikonduktor daya IGBT, perangkat frekuensi radio 5G, kendaraan listrik, dan bidang lainnya . Saat ini, kapasitas produksi tahunan Dongfeng Semiconductor telah mencapai 1,5 juta keping laminasi berlapis tembaga berbasis keramik berkinerja tinggi.