Dongfeng Semiconductor menambah projek substrat IGBT

Pada 8 April, Guangde Dongfeng Semiconductor Technology Co., Ltd. mengumumkan pelaburannya dalam projek dengan pengeluaran tahunan 3 juta substrat seramik bersalut tembaga semikonduktor kuasa. Syarikat ini terlibat terutamanya dalam reka bentuk, R&D, pengeluaran dan penjualan lamina bersalut tembaga berasaskan seramik berprestasi tinggi untuk semikonduktor kuasa Produknya digunakan secara meluas dalam modul semikonduktor kuasa IGBT, peranti frekuensi radio 5G, kenderaan elektrik dan bidang lain. . Pada masa ini, kapasiti pengeluaran tahunan Dongfeng Semiconductor telah mencapai 1.5 juta keping laminat bersalut tembaga berasaskan seramik berprestasi tinggi.