Dongfeng Semiconductor מוסיף פרויקט מצע IGBT

ב-8 באפריל, Guangde Dongfeng Semiconductor Technology Co., Ltd הודיעה על השקעתה בפרויקט מצע קרמי מצופה נחושת עם מוליכים למחצה כוח עם תפוקה שנתית של 3 מיליון חתיכות. החברה עוסקת בעיקר בתכנון, מחקר ופיתוח, ייצור ומכירה של למינטים מצופים נחושת מבוססי קרמיקה בעלי ביצועים גבוהים עבור מוליכים למחצה הספק מוצריה נמצאים בשימוש נרחב במודולי מוליכים למחצה IGBT, התקני תדר רדיו 5G, כלי רכב חשמליים ותחומים אחרים. . נכון לעכשיו, כושר הייצור השנתי של Dongfeng Semiconductor הגיע ל-1.5 מיליון חתיכות של לרבדים מצופים נחושת מבוססי קרמיקה בעלי ביצועים גבוהים.