Den Haaptkierper vum Jiangsu Nanjing Zhongjiang Semiconductor IGBT Kupferbekleed Keramik Substrat Industrialiséierungsprojet ass ofgeschloss

Den 28. Mäerz ass d'Haaptgebai vum Zhongjiang Semiconductor IGBT Kupferbekleed Keramik Substrat Industrialiséierungsprojet ofgeschloss ginn an de sekundäre Strukturkonstruktioun ass amgaang. Et gëtt erwaart datt d'Ausrüstung Enn Abrëll een nom aneren an der Fabréck installéiert gëtt, a bis Enn Oktober fäerdeg an a Produktioun gesat gëtt. Dëse Projet ass ee vun de grousse kommunale Projete vun der Binjiang Entwécklung Zone am Joer 2024. Et ass gebaut vun Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd. mat enger Gesamtinvestitioun vun 1 Milliard Yuan an Entwécklung vun neie Material Keramik Koffer-verkleeden Substrate.