Glavna zgrada Zhongjiang Semiconductor IGBT projekta je zatvorena

Glavna zgrada projekta industrijalizacije IGBT keramičke podloge obložene bakrom tvrtke Zhongjiang Semiconductor je zatvorena i ulazi u fazu izgradnje sekundarne strukture. Ovaj je projekt jedan od glavnih općinskih projekata u provinciji Jiangsu u 2024. Izgradio ga je Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd. s ukupnim ulaganjem od 1 milijarde juana. Očekuje se da će montaža opreme započeti krajem travnja ove godine, a bit će dovršena i puštena u proizvodnju krajem listopada.