Zhongjiang Semiconductor IGBT projekti peahoone on piiratud

Zhongjiang Semiconductori IGBT vasega kaetud keraamilise substraadi industrialiseerimisprojekti peahoone on piiritletud ja jõudmas sekundaarstruktuuri ehitamise etappi. See projekt on üks suuremaid munitsipaalprojekte Jiangsu provintsis 2024. aastal. Selle ehitab Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd., mille koguinvesteering on 1 miljard jüaani. Seadmete paigaldusega alustatakse eeldatavasti tänavu aprilli lõpus ning see viiakse lõpule ja pannakse tootmisse oktoobri lõpus.