Equipo Universidad de Pekín omoheñói modo mejoramiento dispositivo de potencia basado GaN ohasáva 10.000 voltios

Ko equipo de investigación Universidad de Pekín omoheñói porã peteî dispositivo de potencia basado GaN modo mejoramiento ohasáva 10.000 voltios oproponévo tipo pyahu transistor pasivación activa. Ko tecnología osoluciona efectivamente umi problema umi efecto trampa campo yvate ha umi efecto concentración campo eléctrico, ha ohupyty característica dinámica baja en resistencia.