北京大學團隊解決GaN基功率元件的動態閾值電壓漂移問題

北京大學的研究團隊提出金屬/絕緣層/p-GaN新型元件結構，成功解決了GaN基功率元件的動態閾值電壓漂移問題。這項技術不僅實現了近20V的閘極電壓冗餘，還消除了動態閾值電壓漂移。