Pekingin yliopiston tiimi ratkaisee GaN-pohjaisten teholaitteiden dynaamisen kynnysjännitteen drift-ongelman

Pekingin yliopiston tutkimusryhmä ratkaisi onnistuneesti GaN-pohjaisten teholaitteiden dynaamisen kynnysjännitteen poikkeaman ongelman ehdottamalla uutta metalli/eristekerros/p-GaN laiterakennetta. Tämä tekniikka ei ainoastaan ​​saavuta lähes 20 V hilajännitteen redundanssia, vaan myös eliminoi dynaamisen kynnysjännitteen poikkeaman.