Peking University team löser dynamiska tröskelspänningsdriftproblem för GaN-baserade kraftenheter

Forskargruppen vid Peking University löste framgångsrikt problemet med dynamisk tröskelspänningsdrift hos GaN-baserade kraftenheter genom att föreslå en ny enhetsstruktur av metall/isoleringsskikt/p-GaN. Denna teknik uppnår inte bara nästan 20V grindspänningsredundans utan eliminerar också dynamisk tröskelspänningsdrift.