Un equipo de la Universidad de Pekín resuelve el problema de deriva de voltaje de umbral dinámico de dispositivos de energía basados ​​en GaN

El equipo de investigación de la Universidad de Pekín resolvió con éxito el problema de la deriva de voltaje de umbral dinámico de los dispositivos de energía basados ​​en GaN al proponer una nueva estructura de dispositivo de metal/capa aislante/p-GaN. Esta tecnología no solo logra una redundancia de voltaje de puerta de casi 20 V, sino que también elimina la deriva dinámica del voltaje de umbral.