Zespół Uniwersytetu w Pekinie rozwiązuje problem dynamicznego dryfu napięcia progowego urządzeń zasilających opartych na GaN

Zespół badawczy Uniwersytetu w Pekinie z powodzeniem rozwiązał problem dynamicznego dryfu napięcia progowego urządzeń mocy opartych na GaN, proponując nową strukturę urządzenia składającą się z metalu/warstwy izolacyjnej/p-GaN. Technologia ta nie tylko zapewnia redundancję napięcia bramki prawie 20 V, ale także eliminuje dynamiczny dryf napięcia progowego.