Tím Pekingskej univerzity rieši problém dynamického posunu prahového napätia energetických zariadení na báze GaN

Výskumný tím Pekingskej univerzity úspešne vyriešil problém dynamického posunu prahového napätia energetických zariadení založených na GaN navrhnutím novej štruktúry zariadenia z kovu/izolačnej vrstvy/p-GaN. Táto technológia nielenže dosahuje takmer 20V redundanciu hradlového napätia, ale tiež eliminuje dynamický posun prahového napätia.