Das Team der Universität Peking realisiert einen integrierten CMOS-Schaltkreischip auf GaN-Basis mit minimaler Übertragungsverzögerung

Das Forschungsteam der Universität Peking realisierte erfolgreich einen integrierten CMOS-Schaltkreischip auf GaN-Basis mit minimaler Übertragungsverzögerung, indem es das Konzept der polarisationsverstärkten Ionisierung vorschlug. Diese Technologie erhöht die Stromdichte von p-Kanal-Transistoren erheblich.