Ekipa pekinške univerze realizira čip integriranega vezja CMOS na osnovi GaN z minimalno zakasnitvijo prenosa

S predlogom koncepta polarizacijsko okrepljene ionizacije je raziskovalna skupina pekinške univerze uspešno realizirala čip integriranega vezja CMOS na osnovi GaN z minimalno zamudo pri prenosu. Ta tehnologija močno poveča gostoto toka p-kanalnih tranzistorjev.