Екипът на Пекинския университет реализира базиран на GaN CMOS чип с интегрална схема с минимално забавяне на предаването

Чрез предлагането на концепцията за усилена поляризационна йонизация, изследователският екип на Пекинския университет успешно реализира чип с CMOS интегрална схема, базиран на GaN, с минимално забавяне на предаването. Тази технология значително увеличава плътността на тока на p-каналните транзистори.