Pekino universiteto komanda realizuoja GaN pagrįstą CMOS integrinio grandyno lustą su minimaliu perdavimo vėlavimu

Pekino universiteto tyrimų grupė sėkmingai realizavo GaN pagrindu sukurtą CMOS integrinio grandyno lustą su minimaliu perdavimo vėlavimu, pasiūlydama sustiprintos poliarizacijos jonizacijos koncepciją. Ši technologija labai padidina p-kanalo tranzistorių srovės tankį.