Tim Pekinškog sveučilišta realizira CMOS čip integriranog kruga baziran na GaN-u s minimalnim kašnjenjem prijenosa

Predlažući koncept ionizacije pojačane polarizacijom, istraživački tim Sveučilišta u Pekingu uspješno je realizirao CMOS čip integriranog kruga baziran na GaN-u s minimalnim kašnjenjem prijenosa. Ova tehnologija uvelike povećava gustoću struje p-kanalnih tranzistora.