Das Team der Universität Peking entwickelt einen integrierten 650-V-GaN-Hochspannungschip auf Si-Basis

Das Forschungsteam der Universität Peking hat mithilfe innovativer virtueller Isolationstechnologie erfolgreich einen integrierten 650-V-Si-basierten GaN-Hochspannungschip entwickelt. Diese Technologie löst effektiv den Übersprecheffekt von Hochspannungssignalen und das Problem der geringen Stromdichte von p-Kanal-Transistoren.