Pekin Üniversitesi ekibi 650V Si tabanlı GaN yüksek voltajlı entegre çip geliştirdi

Pekin Üniversitesi araştırma ekibi, yenilikçi sanal izolasyon teknolojisi aracılığıyla 650V Si tabanlı GaN yüksek voltajlı entegre çipi başarıyla geliştirdi. Bu teknoloji, yüksek voltaj sinyallerinin karışma etkisini ve p-kanalı transistörlerin düşük akım yoğunluğu sorununu etkili bir şekilde çözer.