Pekin universiteti jamoasi 650V Si asosidagi GaN yuqori voltli integratsiyalangan chipini ishlab chiqadi

Pekin universiteti tadqiqot jamoasi innovatsion virtual izolyatsiya texnologiyasi orqali 650V Si asosidagi GaN yuqori voltli integratsiyalangan chipini muvaffaqiyatli ishlab chiqdi. Ushbu texnologiya yuqori kuchlanishli signallarning o'zaro ta'sirini va p-kanalli tranzistorlarning past oqim zichligi muammosini samarali hal qiladi.