Екипът на Пекинския университет разработва 650V базиран на Si GaN високоволтов интегриран чип

Изследователският екип на Пекинския университет успешно разработи 650V базиран на Si GaN високоволтов интегриран чип чрез иновативна технология за виртуална изолация. Тази технология ефективно решава ефекта на пресичане на сигнали с високо напрежение и проблема с ниската плътност на тока на p-каналните транзистори.