Zespół Uniwersytetu w Pekinie opracowuje zintegrowany układ wysokiego napięcia GaN na bazie Si o napięciu 650 V

Zespół badawczy Uniwersytetu w Pekinie z sukcesem opracował zintegrowany chip wysokiego napięcia GaN na bazie Si o napięciu 650 V, wykorzystując innowacyjną technologię wirtualnej izolacji. Technologia ta skutecznie rozwiązuje efekt przesłuchu sygnałów o wysokim napięciu i problem niskiej gęstości prądu tranzystorów z kanałem p.