Projek cip RF gelombang mikro Haining Liangdongxin 6 inci dilancarkan secara rasmi

Projek cip RF gelombang mikro 6 inci Haining Liangdongxin telah dilancarkan secara rasmi pada 23 Disember. Projek itu merancang jumlah pelaburan sebanyak 5 bilion yuan, meliputi kawasan produk seperti cip frekuensi radio gelombang mikro (GaAs) galium arsenide 6 inci, galium nitrida (GaN HEMT) dan laser permukaan rongga menegak (VCSEL).