北京大學團隊開發出擊穿電壓大於1萬伏特的GaN基功率元件

面對高場陷阱效應和電場聚集效應帶來的挑戰，北京大學的研究團隊提出了新型主動鈍化晶體管，成功開發出擊穿電壓大於1萬伏的增強型GaN基功率元件。這項成果在國際上尚屬首次，對於推動GaN基功率元件的應用具有重要意義。