Das Team der Universität Peking entwickelt ein GaN-basiertes Leistungsgerät mit einer Durchbruchspannung von mehr als 10.000 Volt

Angesichts der Herausforderungen durch Hochfeldeinfangeffekte und elektrische Feldaggregationseffekte schlug ein Forschungsteam der Universität Peking einen neuen Typ eines aktiven Passivierungstransistors vor und entwickelte erfolgreich ein GaN-basiertes Leistungsgerät im Anreicherungsmodus mit einer Durchbruchspannung von mehr als 10.000 Volt. Dieser Erfolg ist der erste seiner Art weltweit und von großer Bedeutung für die Förderung der Anwendung von GaN-basierten Leistungsgeräten.