Une équipe de l'Université de Pékin développe un dispositif d'alimentation basé sur GaN avec une tension de claquage supérieure à 10 000 volts

Face aux défis posés par les effets de piège à champ élevé et les effets d'agrégation de champ électrique, une équipe de recherche de l'Université de Pékin a proposé un nouveau type de transistor à passivation active et a développé avec succès un dispositif d'alimentation à base de GaN en mode amélioration avec une tension de claquage supérieure à 10 000 Volts. Cette réalisation est la première du genre au monde et revêt une grande importance pour promouvoir l’application de dispositifs électriques basés sur GaN.