Equipe da Universidade de Pequim desenvolve dispositivo de energia baseado em GaN com tensão de ruptura superior a 10.000 volts

Diante dos desafios colocados pelos efeitos de armadilha de alto campo e efeitos de agregação de campo elétrico, uma equipe de pesquisa da Universidade de Pequim propôs um novo tipo de transistor de passivação ativa e desenvolveu com sucesso um dispositivo de energia baseado em GaN de modo de aprimoramento com uma tensão de ruptura superior a 10.000 volts. Esta conquista é a primeira desse tipo no mundo e é de grande importância para promover a aplicação de dispositivos de energia baseados em GaN.