Peking University-teamet udvikler GaN-baseret strømenhed med gennembrudsspænding større end 10.000 volt
galliumnitrid
De
De
del
præstation
transistor
led
ring
Sti
elektrisk
verden
udfordring
udvikle
anvendelse
2024-12-25 22:46
0
Stillet over for udfordringerne fra højfeltsfældeeffekter og elektriske feltaggregeringseffekter, foreslog et forskerhold fra Peking University en ny type aktiv passiveringstransistor og udviklede med succes en GaN-baseret kraftenhed i forbedringstilstand med en gennembrudsspænding på over 10.000 volt. Denne præstation er den første af sin art i verden og er af stor betydning for at fremme anvendelsen af GaN-baserede strømenheder.
