Het team van de Universiteit van Peking ontwikkelt een op GaN gebaseerd stroomapparaat met een doorslagspanning van meer dan 10.000 volt

Geconfronteerd met de uitdagingen die gepaard gaan met trapeffecten met een hoog veld en aggregatie-effecten van elektrische velden, heeft een onderzoeksteam van de Universiteit van Peking een nieuw type actieve passivatietransistor voorgesteld en met succes een op GaN gebaseerd voedingsapparaat met een doorslagspanning van meer dan 10.000 ontwikkeld. volt. Deze prestatie is de eerste in zijn soort ter wereld en is van groot belang voor het bevorderen van de toepassing van op GaN gebaseerde energieapparaten.