Hitachi e Sagar Semi chegaram a uma cooperação para desenvolver conjuntamente SiC/IGBT e outros dispositivos

A Hitachi Power Semiconductor (HPSD), uma subsidiária do Grupo Hitachi, assinou um acordo de cooperação com a indiana Sagar Semiconductors (Sagar Semi) para realizar conjuntamente pesquisa, desenvolvimento e vendas de dispositivos de alta potência, como IGBT e SiC, bem como a transferência de tecnologia de diodos de alta tensão. Sagar Semi planeja construir uma fábrica de semicondutores de potência de alta tensão, e a Hitachi Power Semiconductor concordou em considerar a transferência de instalações e tecnologias de fabricação relacionadas para todos os processos de front-end e back-end. Além disso, a Hitachi Power Semiconductor também ajudará a Sagar Semi a treinar seus funcionários na Índia e no Japão. No futuro, a capacidade de produção anual da fábrica chegará a 100 milhões de unidades. As duas empresas se concentrarão no desenvolvimento de soluções de semicondutores de energia sob medida, como SiC/IGBT, para tecnologias emergentes na Índia, com foco em indústrias como linha branca, soluções de armazenamento de energia e ferrovias.