Hitachi ja Sagar Semi tekevät yhteistyötä kehittääkseen yhdessä SiC/IGBT:tä ja muita laitteita

Hitachi Groupin tytäryhtiö Hitachi Power Semiconductor (HPSD) on allekirjoittanut yhteistyösopimuksen intialaisen Sagar Semiconductorsin (Sagar Semi) kanssa korkeatehoisten laitteiden kuten IGBT:n ja SiC:n tutkimus- ja kehitystyöstä ja myynnistä yhdessä. suurjännitediodien teknologian siirto. Sagar Semi aikoo rakentaa korkeajännitteisen tehopuolijohdetehtaan, ja Hitachi Power Semiconductor on suostunut harkitsemaan siihen liittyvien laitosten ja niihin liittyvien valmistustekniikoiden siirtoa koko etu- ja taustaprosessissa. Lisäksi Hitachi Power Semiconductor auttaa Sagar Semia kouluttamaan työntekijöitään Intiassa ja Japanissa. Molemmat yhtiöt keskittyvät kehittämään räätälöityjä tehopuolijohderatkaisuja, kuten SiC/IGBT:tä, kehittyville teknologioille Intiassa keskittyen sellaisiin toimialoihin kuin kodinkoneet, energian varastointiratkaisut ja rautatiet.