Η Hitachi και η Sagar Semi συνεργάζονται για την από κοινού ανάπτυξη SiC/IGBT και άλλων συσκευών

Η Hitachi Power Semiconductor (HPSD), θυγατρική του Ομίλου Hitachi, υπέγραψε συμφωνία συνεργασίας με την ινδική Sagar Semiconductors (Sagar Semi) για την από κοινού διεξαγωγή έρευνας και ανάπτυξης και πωλήσεων συσκευών υψηλής ισχύος όπως IGBT και SiC, καθώς και μεταφορά τεχνολογίας διόδων υψηλής τάσης. Η Sagar Semi σχεδιάζει να κατασκευάσει ένα εργοστάσιο ημιαγωγών υψηλής τάσης και η Hitachi Power Semiconductor συμφώνησε να εξετάσει το ενδεχόμενο μεταφοράς σχετικών εγκαταστάσεων και σχετικών τεχνολογιών παραγωγής για το σύνολο των διεργασιών front-end και back-end. Επιπλέον, η Hitachi Power Semiconductor θα βοηθήσει επίσης τη Sagar Semi να εκπαιδεύσει τους υπαλλήλους της στην Ινδία και την Ιαπωνία Στο μέλλον, η ετήσια παραγωγική ικανότητα του εργοστασίου θα φτάσει τα 100 εκατομμύρια μονάδες. Οι δύο εταιρείες θα επικεντρωθούν στην ανάπτυξη εξατομικευμένων λύσεων ημιαγωγών ενέργειας όπως το SiC/IGBT για αναδυόμενες τεχνολογίες στην Ινδία, εστιάζοντας σε βιομηχανίες όπως τα λευκά είδη, οι λύσεις αποθήκευσης ενέργειας και οι σιδηρόδρομοι.